MIL-PRF-39003确定故障率(表示为基于指数和威布尔的每1000小时的百分比分配。 在订购时必须小心谨慎部件号正确识别所需的故障率级别。另外，每个军用风格CSR13，CSR21的订单，需要政府检查的CSR23电容必须说明检查是在目的地还是在目的地Vishay工厂。 无法进行源检查的订单发货直到完成。先前在MIL-C26655中显示的CS13型电容器。VISHAY角度传感器419306
直接由风格CSR13和风格CSR23取代电容器是扩展电容范围的版本军事风格CSR13。有关这些性能特征的信息电容器，请参考*新一期的军用规格。DG417B，DG418B，DG419B单片CMOS模拟开关旨在提供高性能切换模拟信号。 结合低功耗，低功耗泄漏，高速，低导通电阻和小物理尺寸，DG417B系列非常适合便携式和电池供电的工业和军事应用需要。
高性能和高效利用电路板空间，实现高压额定和卓越的开关性能方面，DG417B系列基于Vishay，Siliconix的高压硅栅极(HVSG)工艺。 DG419B保Breakbefore-make，这是一个SPDT配置。 外延层可防止闭锁。每个开关在两个方向上都能很好地导通打开，并在关闭时阻止电源电平。DG417B和DG418B响应相反的控制逻辑真值表中显示的水平。
功耗PD基于TJ(*大值)= 150°C，采用结壳热阻，更有助于稳定鞋面使用额外散热的情况下的耗散极限。 当此额定值低于封装时，它用于确定电流额定DG417，DG418，DG419单片CMOS模拟开关旨在提供高性能切换模拟信号。 结合低功耗，低功耗泄漏，高速，低导通电阻和小物理尺寸，DG417系列非常适合便携式和电池供电的工业和军事应用需要高性能和高效利用电路板空间。
VISHAY角度传感器419306实现高压额定和卓越的开关性能方面，DG417系列基于Vishay Siliconix高压硅栅(HVSG)工艺。 DG419保证了Break-beforemake，这是一个SPDT组态。 外延层可防止闭锁。每个开关在两个方向上都能很好地导通打开，并在关闭时阻止电源电平。DG417和DG418响应相反的控制逻辑真值表中显示的水平模拟开关从其输入中获得功率信号，只要输入信号幅度超过4 V和它的频率超过1 kHz。